掃描電子顯微鏡,簡稱掃描電鏡，已成為功能強、用途廣的材料表征工具，已廣泛應用于材料，冶金，礦物，生物學等領域。

　　在SEM中，電子束以柵網模式掃描樣品。首先，電子槍在鏡筒頂部生成電子。當電子的熱能超過了源材料的功函數時，就會被釋放出來，然后它們加速向帶有正電荷的陽*速移動。整個電子鏡筒必須處于真空狀態(tài)。

　　SEM主要性能參數

　　<1> 分辨率

　　對微區(qū)成分分析而言，分辨率指能分析的最小區(qū)域；對成像而言，它是指能分辨兩點間的最小距離。

　　SEM分辨率主要受三方面影響：入射電子束束斑直徑、入射電子束在樣品中的擴展效應、成像方式及所用的調制信號。

　　二次電子像的分辨率約為5-10nm，背散射電子像的分辨率約為50-200nm。一般來說SEM分辨率指的是二次電子像的分辨率。

　　<2>放大倍數

　　放大倍數可從十倍到幾十萬倍連續(xù)可調。

　　放大倍數：M = L/I，其中L是顯像管尺寸，I是光柵掃描時相鄰兩點間距。M通過調節(jié)掃描線圈電流進行，電流小則電子束偏轉角度小，放大倍數增大。放大倍率不是越大越好，要根據有效放大倍率和分析樣品的需要進行選擇，與分辨率保持一定關系。

　　<3> 景深

　　景深指一個透鏡對高低不平的試樣各部位能同時聚焦成像的一個能力范圍。估算景深D = 2 r/a = 0.2/(aM) mm，a-電子束張角，M-放大倍數。SEM物鏡采用小孔視角、長焦距，可獲得很大景深。

　　<4> 襯度

　　包括表面形貌襯度和原子序數襯度。表面形貌襯度由試樣表面的不平整性引起。原子序數襯度指掃描電子束入射試祥時產生的背散射電子、吸收電子、X射線，對微區(qū)內原子序數的差異相當敏感。原子序數越大，圖像越亮。二次電子受原子序數的影響較小。高分子中各組分之間的平均原子序數差別不大；所以只有—些特殊的高分子多相體系才能利用這種襯度成像。